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一、產(chǎn)品概述
    LG-GDT01Ⅱ型光電傳感器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)是針對(duì)高校關(guān)于導(dǎo)軌式光學(xué)實(shí)驗(yàn)需求設(shè)計(jì)的一款實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。由光學(xué)導(dǎo)軌、數(shù)字儀表及電子元器件平臺(tái)等部分構(gòu)成，儀器配備各種電源接口及0-200V 高壓可調(diào)電源和0-12V低壓可調(diào)電源，可為學(xué)生搭建各種實(shí)驗(yàn)電路提供電源。學(xué)生能夠利用平臺(tái)自行搭建各種光電傳感器的變換及處理電路，完成各種關(guān)于光電技術(shù)方面的應(yīng)用開發(fā)設(shè)計(jì)，從各方面提高學(xué)生的動(dòng)腦動(dòng)手能力及創(chuàng)新意識(shí)，幫助高校培養(yǎng)光電技術(shù)人才。
1. 光學(xué)導(dǎo)軌
  可利用導(dǎo)軌滑塊自行調(diào)節(jié)光學(xué)配件的距離，配合電子元器件搭建出幾何光學(xué)、物理光學(xué)、光電檢測(cè)與光電控制等系統(tǒng)，并與儀器內(nèi)部的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相結(jié)合完成各種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。
2. 數(shù)字儀表、電子元器件平臺(tái)
  平臺(tái)提供1塊數(shù)字電壓表（四位半），1塊數(shù)字（四位半）電流表和1塊自動(dòng)更換量程的數(shù)字照度計(jì)，這些數(shù)字儀表可以應(yīng)用在電路中進(jìn)行各種電路參數(shù)的測(cè)量。此平臺(tái)還配備各種電阻、電容、可調(diào)電位器、二極管、三極管、集成運(yùn)算放大器、光電耦合器件等。
外形尺寸：410mm(長(zhǎng))×400mm(寬)×150mm(高) 重量：7.5 kg

二、教學(xué)目的
1. 了解并掌握各種光學(xué)配件及其實(shí)驗(yàn)的原理和應(yīng)用；
2. 了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路；
3. 培養(yǎng)學(xué)生動(dòng)腦動(dòng)手能力及創(chuàng)新意識(shí)；
三、配置內(nèi)容 
1. 平臺(tái)電子元器件
   ①光電二極管2只；
   ②光電三極管2只；
   ③光敏電阻2只；
   ④硅光電池1只；
   ⑤發(fā)光二極管R、G、B、W四色各1只；
   ⑥PIN光電二極管1只；
2. 平臺(tái)實(shí)驗(yàn)裝置
   ①LED點(diǎn)光源裝置1支； 
   ②光電器件安裝裝置2件；
   ③熱釋電實(shí)驗(yàn)裝置1件；
   ④PSD實(shí)驗(yàn)裝置1件；
   ⑤52單片機(jī)開發(fā)系統(tǒng)裝置；
3. 光源配置
   650nm點(diǎn)型3mw半導(dǎo)體激光器1只；
4. 夾持器具配置
   ①導(dǎo)軌固定底座4個(gè)；
   ②導(dǎo)軌底座支撐桿4個(gè)；
   ③一維底座1個(gè)；
5. 連接線配置
   ①300mm連接線40顆；
   ②500mm連接線10顆；
四、技術(shù)參數(shù)
1. 導(dǎo)軌長(zhǎng)度：410mm；
2. 數(shù)字電壓表：精度四位半；量程20V,200V；
3. 數(shù)字電流表：精度四位半；量程20mA,200mA；
4. 數(shù)字照度計(jì)：自動(dòng)更換量程；測(cè)量范圍0.1～1.999×10３x；
5. 光電二極管：暗電流ID=±0.1uA；光電流 IL=±80uA；峰值響應(yīng)880nm；最高工作電壓30V；開關(guān)時(shí)間50/50ns；光譜范圍400～1100nm；   
6. 光電三極管：集電極-發(fā)射極電壓30V；發(fā)射極-集電極電壓5V；集電極電流20mA；   
7. 光敏電阻：暗電阻 1.0 MΩ；亮電阻 8～20 KΩ（10Lx）；    
8. 硅光電池：開路電壓小于500mV；短路電流小于18mA；輸出電流小于16.5mA；感光面積10X10mm；
9. 一維PSD：光敏區(qū)1mm*8mm；光譜響應(yīng)范圍300-1100nm；Ev=1000LX  2856K 時(shí)，開路電 壓為0.3V，短路電流為55µA；PSD調(diào)整架：位移范圍13mm；位移精度0.01mm；
10. 熱釋電器件：型號(hào)：RE200B；靈敏元面積：2.0×1.0mm2；基片材料：硅；基片厚度：0.5mm；工作波長(zhǎng)：5-14µm；平均透過率＞75%；
11. 光電耦合器：型號(hào)：4N35；隔離電壓:5300V；輸入電流:10mA；輸出電壓:30V；工作溫度范圍:-55°Cto+100°C；最大正向電流, If:60mA；正向電Vf最大:1.5V；電壓,Vceo:30V；電壓,Vf典型值:1.3V；輸出電壓最大:30V；擊穿電壓最小:30V；電流傳遞率(CTR) 最小值:100%；
12. PIN光電二極管：反向電壓 40V；峰值波長(zhǎng) 920nm；開路電壓 0.4V；短路電流 85uA；
13. 語音識(shí)別/聲控芯片：內(nèi)置單聲道m(xù)ono16-bitA/D模數(shù)轉(zhuǎn)換；內(nèi)置雙聲道stereo16-bitD/A數(shù)模轉(zhuǎn)換；內(nèi)置20mW雙聲道耳機(jī)放大器輸出；內(nèi)置550mW單聲道揚(yáng)聲器放大器輸出；支持并行接口或者 SPI 接口；內(nèi)置鎖相電路PLL，輸入主控時(shí)鐘頻率為 2MHz - 34MHz；工作電壓：(VDD:forinternal core) 3.3V；48pin的QFN7*7標(biāo)準(zhǔn)封裝；省電模式耗電：1uA； 
14. 藍(lán)牙模塊:工作頻率：2.4GHz ；調(diào)制方式：GFSK(Gaussian Frequency Shift Keying)；靈敏度：≤-84dBmat0.1%BER；傳輸速率：Asynchronous:6kbps Synchronous:6kbps；安全特性：Authentication and encryption；支持服務(wù)：Central & Peripheral UUID FFE0,FFE1；功耗：自動(dòng)休眠模式下，待機(jī)電流400uA~1.5mA,傳輸時(shí)8.5mA；供電電源：+3.3VDC 50mA；藍(lán)牙認(rèn)證：ROHS REACH；功能:主從一體。 
五、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
(1)光電傳感器件原理與特性的實(shí)驗(yàn)
 1. 光敏電阻特性參數(shù)及其測(cè)量；
 2. 光敏電阻伏安特性實(shí)驗(yàn)；
 3. 光敏電阻的變換電路；
 4. 光敏電阻時(shí)間響應(yīng)特性；
 5. 光電二極管光照靈敏度的測(cè)量；
 6. 光電二極管伏安特性的測(cè)量；
 7. 光電二極管時(shí)間響應(yīng)特性的測(cè)量；
 8. 硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的特性參數(shù)及其測(cè)量；
 9. 測(cè)量硅光電池在反向偏置下的時(shí)間響應(yīng)；
 10. 光電三極管光照靈敏度的測(cè)量；
 11. 光電三極管伏安特性的測(cè)量；
 12. 光電三極管時(shí)間響應(yīng)的測(cè)量；
 13. 光電三極管光譜特性的測(cè)量；
 14. 光電耦合器電流傳輸比的測(cè)量；
 15. 光電耦合器件伏安特性的測(cè)量；
 16. 光電耦合器件時(shí)間相應(yīng)的測(cè)量；
 17. 熱釋電器件基本原理實(shí)驗(yàn)；
 18. 熱釋電器件光譜響應(yīng)的測(cè)試實(shí)驗(yàn)；
 19. PSD位移傳感器特性參數(shù)的測(cè)量；
 20. PIN光電二極管特性實(shí)驗(yàn)；
(2)二次開發(fā)實(shí)驗(yàn)
 1. 52單片機(jī)程序編寫實(shí)驗(yàn)；
 2. 52單片機(jī)外圍電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)；
 3. 基于52單片機(jī)的數(shù)字時(shí)鐘設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)；
六、平臺(tái)配套文件資料
  實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書1本；                       
  備注：客戶自行配置示波器。